N ချိတ်ဆက်ကိရိယာ မြင့်မားသောပါဝါ SPNT RF ခလုတ်

N ချိတ်ဆက်ကိရိယာ မြင့်မားသောပါဝါ SPNT RF ခလုတ်

မင်္ဂလာပါကျွန်ုပ်တို့၏ထုတ်ကုန်များကိုတိုင်ပင်ရန်လာပါ။

N ချိတ်ဆက်ကိရိယာ မြင့်မားသောပါဝါ SPNT RF ခလုတ်

ချိတ်ဆက်ကိရိယာခလုတ်မရှိပါ။

5V/12V/24V/28V ပါဝါထောက်ပံ့မှု
ရာထူးညွှန်ပြသည့် လုပ်ဆောင်ချက်ကို ရွေးချယ်နိုင်သည်။
D 9/15pin ချိတ်ဆက်ကိရိယာ သို့မဟုတ် PIN ချိတ်ဆက်ကိရိယာကို ရိုက်ထည့်ပါ။
Standard သို့မဟုတ် TTL လျှပ်စစ်အဆင့် drive

 


ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

ရိုက်ပါ။

● စွမ်းအားမြင့် SPNT coaxial ခလုတ်
● အလုပ်လုပ်သည့်အကြိမ်ရေ- DC-12.4GHz/18GHz
● RF ချိတ်ဆက်ကိရိယာ- အမျိုးသမီး N/SC အမျိုးအစား
● ရောင်ပြန်ဟပ်ခြင်း။

RF စွမ်းဆောင်ရည်

မြင့်မားသောအထီးကျန်မှု- 6GHz တွင် 80 dB ထက်ကြီးသည်၊ 12.4GHz တွင် 70dB ထက်ကြီးသည်။
အနိမ့် VSWR- 6GHz တွင် 1.3 အောက်၊ 1.5 ထက် 12.4GHz;
Low Ins.less- 6GHz တွင် 0.3dB ထက်နည်းပြီး၊ 12.4GHz တွင် 0.5dB ထက်နည်းသည်။

RF တည်ငြိမ်မှုနှင့် ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်း ပိုရှည်သည်။

ထည့်သွင်းမှုဆုံးရှုံးမှု ထပ်ခါထပ်ခါ စမ်းသပ်မှု တည်ငြိမ်မှု- 6GHz တွင် 0.02dB၊ 12.4GHz တွင် 0.03dB၊
ဘဝစက်ဝန်း အကြိမ် 2 သန်းသေချာပါစေ။ (ချန်နယ်တစ်ခုတည်း စက်ဝိုင်း အကြိမ် 2 သန်း)။

RF switch ၏လည်ပတ်မှုနိယာမ

1. RF ဝင်ခွင့်အဆင့်ခလုတ်သည် ထိန်းချုပ်မှုအကျိုးသက်ရောက်မှုပေါ်ရှိ ထောက်လှမ်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းပေါ်တွင် တွယ်ကပ်နေသော ပစ္စည်းများ၏လွှမ်းမိုးမှုကို ဖယ်ရှားရန် terminal Cote – Shield နည်းပညာသုံးခုကို လက်ခံပါသည်။အီလက်ထရွန်းနစ်ဆားကစ်တွင် ထုတ်ပေးသည့် ကြိမ်နှုန်းမြင့်အချက်ပြမှုကို တစ်ဖက်ရှိ ထောက်လှမ်းခြင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထံသို့ တိုက်ရိုက်ပေးပို့ပြီး အခြားတစ်ဖက်ရှိ RF ဗို့အားနောက်လိုက်မှတစ်ဆင့် ကပ်တွယ်မှုကာကွယ်သည့်အင်္ကျီလက်သို့ တိုက်ရိုက်ပေးပို့သည်။၎င်း၏အရွယ်အစားနှင့် အဆင့်များသည် probe rod တွင်ထည့်ထားသော signal နှင့် တူညီပါသည်။ပစ္စည်းများသည် probe နှင့် လိုက်လျောညီထွေရှိသောအခါ၊ အကာအကွယ်အင်္ကျီလက်စွပ်နှင့် ဘင်နံရံကြားတွင် capacitance တစ်ခုဖြစ်ပေါ်လာသည်၊ ထို့ကြောင့် အကာအကွယ်အင်္ကျီလက်တွင်ထည့်ထားသော ကြိမ်နှုန်းမြင့်အချက်ပြမှုသည် capacitance ကို ပြည့်ဝစေပြီး၊ probe ပေါ်ရှိ ကြိမ်နှုန်းမြင့်အချက်ပြမှုသည် အထဲသို့ မစီးဆင်းနိုင်တော့ပါ။ ကွန်တိန်နာနံရံကိုကော်အလွှာမှတဆင့်။ကွန်တိန်နာရှိ ပစ္စည်းအများအပြားသည် probe နှင့် ထိတွေ့သောအခါ၊ probe ပေါ်ရှိ လျှပ်စီးကြောင်းသည် saturation area ကိုကျော်ပြီး container wall သို့ စီးဆင်းသွားမည်ဖြစ်ပြီး၊ ထို့ကြောင့် material များရှိနေခြင်း၏ signal ကိုထုတ်ပေးပါသည်။

2. RF ဝင်ခွင့်အဆင့်ခလုတ်သည် အီလက်ထရွန်းနစ်ဆားကစ်မှ probe ပေါ်ရှိ ပါဝါသေးငယ်သော RF အချက်ပြမှုတစ်ခုကို ထုတ်လုပ်ရန် ကြိမ်နှုန်းမြင့်နည်းပညာကို အသုံးပြုကာ၊ probe သည် အဆင့်အထိ dielectric ကိန်းသေကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော အချက်ပြပြောင်းလဲမှုများကို တုံ့ပြန်ရန်အတွက် အာရုံခံဒြပ်စင်တစ်ခုအဖြစ် လုပ်ဆောင်သည်။ လျှပ်စစ်ပတ်လမ်း;အဆိုပါပြောင်းလဲမှုများတွင် capacitance နှင့် conductance အပြောင်းအလဲများပါ ၀ င်သောကြောင့်၊ အီလက်ထရွန်းနစ်ဆားကစ်သည် capacitive reactance နှင့် impedance ၏ပြည့်စုံသောပြောင်းလဲမှုအချက်ပြမှု (signal of comprehensive changes of capacitive reactance and impedance) ကိုလုပ်ဆောင်သည်။

3. ဓာတ်ပြုမှုပြောင်းလဲမှုသည် တိုင်ပေါ်ရှိ ကြိမ်နှုန်းမြင့်အချက်ပြမှု အဆင့်ပြောင်းလဲမှုကို ဖြစ်စေသည်။ထို့ကြောင့်၊ တိုင်ပေါ်ရှိ ကြိမ်နှုန်းမြင့်အချက်ပြမှုနှင့် အီလက်ထရွန်နစ်ပတ်လမ်းရှိ ရည်ညွှန်းအချက်ပြမှုကြား အဆင့်ကွာခြားချက်သည်လည်း ပြောင်းလဲသွားပါသည်။အပြောင်းအလဲကို လုပ်ဆောင်ပြီးနောက်၊ စက်အတွင်းတွင် ပစ္စည်းရှိမရှိကို သိရှိရန် နှိုးဆော်သံအချက်ပြမှုတစ်ခု ထုတ်ပေးသည်။


  • ယခင်-
  • နောက်တစ်ခု:

  • သင့်စာကို ဤနေရာတွင် ရေးပြီး ကျွန်ုပ်တို့ထံ ပေးပို့ပါ။